Искать:
Фильтр
Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Размер памяти
Организация
Тип интерфейса
Время доступа
Сохранение данных
Максимальная тактовая частота
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
GLS29EE010-70-4C-EHE EEPROM 1Mbit (128K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector C-TEMP
GLS29EE010-70-4C-EHE-T EEPROM 1MB, 5V, 70ns 128Kx8 EEPROM Flash
GLS29EE010-70-4C-NHE EEPROM 1Mbit (128K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector C-TEMP
GLS29EE010-70-4C-NHE-T EEPROM 1Mbit (128K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector C-TEMP
GLS29EE010-70-4C-PHE EEPROM 1Mbit (128K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector C-TEMP
GLS29EE010-70-4I-EHE EEPROM 1Mbit (128K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector I-TEMP
GLS29EE010-70-4I-EHE-T EEPROM 1MB, 5V, 70ns 128Kx8 EEPROM Flash
GLS29EE010-70-4I-NHE EEPROM 1Mbit (128K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector I-TEMP
GLS29EE010-70-4I-NHE-T EEPROM 1MB, 5V, 70ns 128Kx8 EEPROM Flash
GLS29EE512-70-4C-EHE EEPROM 512Kbit (64K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector C-TEMP
GLS29EE512-70-4C-EHE-T EEPROM 512K, 5V, 70ns 64K x 8 EEPROM Flash
GLS29EE512-70-4C-NHE EEPROM 512Kbit (64K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector C-TEMP
GLS29EE512-70-4C-NHE-T EEPROM 512K, 5V, 70ns 64K x 8 EEPROM Flash
GLS29EE512-70-4I-EHE EEPROM 512Kbit (64K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector I-TEMP
GLS29EE512-70-4I-EHE-T EEPROM 512K, 5V, 70ns 64K x 8 EEPROM Flash
GLS29EE512-70-4I-NHE EEPROM 512Kbit (64K x 8) Page-Write EEPROM FLASH 128B Sector I-TEMP
GLS29EE512-70-4I-NHE-T EEPROM 512K, 5V, 70ns 64K x 8 EEPROM Flash