1N6471US
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия -
- Тип продукта TVS Diodes
- Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
- Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
- Полярность Unidirectional
- Количество каналов -
- Тип выводов SMD/SMT
- Напряжение пробоя 13.6 V
- Рабочее напряжение 12 V
- Напряжение фиксации 22.6 V
- Iпи - пиковый импульсный ток 374 A
- Cd - емкость диода -
- Упаковка / блок D-5C-2
- Pppm - пиковое рассеивание мощности 1.5 kW
- Pd - рассеивание мощности 3 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk