AP2012P3C-P22
- ПроизводительKingbright
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок SMD-2
- Вид монтажа SMD/SMT
- Пиковая длина волны -
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 0.4 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.8 V
- Темновой ток 100 nA
- Время нарастания 15 us
- Время спада 15 us
- Pd - рассеивание мощности 100 mW (1/10 W)
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Серия -