BS2100F-E2
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Продукт IGBT, MOSFET Gate Drivers
- Тип High Side, Low Side
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOP-8
- Количество драйверов 2 Driver
- Количество выходов 2 Output
- Выходной ток 130 mA
- Конфигурация -
- Время нарастания 200 ns
- Время спада 100 ns
- Напряжение питания - мин. 10 V
- Напряжение питания - макс. 18 V
- Задержка распространения - макс. -
- Рабочий ток источника питания 120 uA
- Pd - рассеивание мощности 670 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия BS2100F
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel