VMZ6.8NT2L
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 6.8 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Pd - рассеивание мощности 150 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 5 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Dual Common Anode
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия VMZ6.8N