1N3157UR-1
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.4 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AA-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 10 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -