1N3034BUR-1
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 39 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AB-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения 0.101 %/C
- Зенеровский ток 23 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 60 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 6.5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -