1N3022DUR-1
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 12 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AB-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 1 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.081 %/C
- Зенеровский ток 80 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 9 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 21 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -