1N3318A
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 19 V
- Вид монтажа Stud Mount
- Упаковка / блок DO-5
- Pd - рассеивание мощности 50 W
- Допустимое отклонение напряжения 10 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.075 %/C
- Зенеровский ток 2.2 A
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 2.2 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация -
- Ток испытаний 660 mA
- Квалификация -
- Упаковка Tray
- Серия -