1N3014B
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 180 V
- Вид монтажа Screw
- Упаковка / блок DO-41-2
- Pd - рассеивание мощности 10 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.11 %/C
- Зенеровский ток 10 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 260 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Tray
- Серия -