1N3155
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.4 V
- Вид монтажа Axial
- Упаковка / блок DO-35-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 10 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.005 %/C
- Зенеровский ток 10 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 15 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 10 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -