1N3051BUR-1
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 200 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AB-2
- Pd - рассеивание мощности 1.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.1 %/C
- Зенеровский ток 6.9 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 1500 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 1.2 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -