1N3155A
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-7-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 1 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.005 %/C
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 15 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 10 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -