1N3156-1/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.4 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-204AA-2
- Pd - рассеивание мощности 0.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.002 %/C
- Зенеровский ток 10 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 15 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 10 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -