1M120Z R0
- ПроизводительTaiwan Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 120 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-41
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 550 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 2 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия 1MxxxZ