1N2979C
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 15 V
- Вид монтажа Stud Mount
- Упаковка / блок DO-4
- Pd - рассеивание мощности 10 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 5 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 3 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 170 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -