UDZS12B R9G
- ПроизводительTaiwan Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 12 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOD-323F-2
- Pd - рассеивание мощности 200 mW
- Допустимое отклонение напряжения 2 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 1 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 20 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка -
- Серия UDZS12B