VDZT2R8.2B
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.19 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок VMD-2
- Pd - рассеивание мощности 100 mW
- Допустимое отклонение напряжения 2 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 30 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия VDZ8.2B