1N3011A/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 150 V
- Вид монтажа Stud Mount
- Упаковка / блок DO-213AA-2
- Pd - рассеивание мощности 10 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.11 %/C
- Зенеровский ток 62 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 175 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 17 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -