1N3511A/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 5.1 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-35-2
- Pd - рассеивание мощности 400 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 14 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 20 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -