1N3017B-1/TR
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 7.5 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-41-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.065 %/C
- Зенеровский ток 125 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 34 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -