BFP 640FESD H6327
- ПроизводительInfineon Technologies
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия BFP640
- Тип транзистора Bipolar
- Технология SiGe
- Полярность транзистора -
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.8 V
- Непрерывный коллекторный ток 50 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Конфигурация -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TSFP-4-1
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel