MRF587
- ПроизводительAdvanced Semiconductor, Inc.
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar Power
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe50
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 17 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток 200 mA
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок Case244-04
- Квалификация -
- Упаковка Tray