Искать:
BFG35,115
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология Si
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 18 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток 0.15 A
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-223
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel