BLW50F
- ПроизводительAdvanced Semiconductor, Inc.
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar Power
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe19
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 55 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
- Непрерывный коллекторный ток 3.25 A
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация -
- Вид монтажа Screw Mount
- Упаковка / блок SOT-123
- Квалификация -
- Упаковка Tray