MRF5812LF-CP
- ПроизводительAdvanced Semiconductor, Inc.
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия MRF5812LF
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe50
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток 200 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Конфигурация -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SO-8
- Квалификация -
- Упаковка Bulk