NSVF6003SB6T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe100
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
- Непрерывный коллекторный ток 150 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок CPH-6
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel