Искать:
CGHV96100F2
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN
  • Усиление 12.4 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 12 A
  • Выходная мощность 131 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа Screw Mount
  • Упаковка / блок 440210
  • Упаковка Tray