T1G4004532-FS
Технические характеристики
- Тип транзистора -
- Технология GaN SiC
- Усиление -
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 45 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Упаковка Tray