Искать:
CGHV1F025S
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 11 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 2 A
  • Выходная мощность 25 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DFN-12
  • Упаковка Cut Tape, Reel