T1G4020036-FS
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 16 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность 260 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Упаковка Tray