TGF2954
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 19.6 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 1.7 A
- Выходная мощность 44.5 dBm
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 34.5 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Упаковка Gel Pack