Искать:
CGHV60170D
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN
  • Усиление 18 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 12.6 A
  • Выходная мощность 170 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок Die
  • Упаковка Gel Pack