NPTB00004A
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN Si
- Усиление 16 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 1.4 A
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Pd - рассеивание мощности 11.6 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOIC-8
- Упаковка Tray