TGF2956
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 19.3 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
- Выходная мощность 47.6 dBm
- Максимальное напряжение сток-затвор 100 V
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 53 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Упаковка Gel Pack