Искать:
CGHV40180F
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN
  • Усиление 20.3 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 18 A
  • Выходная мощность 180 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 150 W
  • Вид монтажа Screw Mount
  • Упаковка / блок 440223
  • Упаковка Tray