Искать:
QPD0050TR7
Технические характеристики
  • Тип транзистора -
  • Технология GaN
  • Усиление 19.4 dB
  • Полярность транзистора -
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Выходная мощность 75 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок DFN-6
  • Упаковка Reel