QPD1003
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 19.9 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
- Id - непрерывный ток утечки 15 A
- Выходная мощность 540 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 370 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок RF-565
- Упаковка Tray