TGF2965-SM
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 18 dB
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.7 V
- Id - непрерывный ток утечки 600 mA
- Выходная мощность 6 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 7.5 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок QFN-16
- Упаковка Tray