GTVA126001EC-V1-R0
- ПроизводительWolfspeed / Cree
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 18 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
- Id - непрерывный ток утечки 10 A
- Выходная мощность 600 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа Screw Mount
- Упаковка / блок H-36248-2
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel