Искать:
GTVA126001EC-V1-R0
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 18 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 10 A
  • Выходная мощность 600 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа Screw Mount
  • Упаковка / блок H-36248-2
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel