Искать:
MMRF5017HSR5
Технические характеристики
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Технология GaN SiC
  • Id - непрерывный ток утечки 200 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление -
  • Выходная мощность 125 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-400S-2
  • Упаковка Cut Tape, Reel