MHT1108NT1
- ПроизводительNXP Semiconductors
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 143 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 18.1 dB
- Выходная мощность 12.5 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-16
- Упаковка Cut Tape, Reel