SBC847BPDW1T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363-6
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V, - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V, - 0.65 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BC847BP