NJVMJD45H11T4G-VF01
- ПроизводительON Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 16 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 90 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD45H11