US6T6TR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 360 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия US6T6