ZXT13N50DE6TA
- ПроизводительDiodes Incorporated
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7.5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 145 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 115 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия ZXT13N50