PRMD10Z
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-1412-6
- Полярность транзистора NPN, PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 230 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -