2N3442
- ПроизводительCentral Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3-2
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 160 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 kHz
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия 2N3442