2N3505
- ПроизводительCentral Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-18
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 400 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 150 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 200 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2N3505