Искать:
QSZ2TR
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок -
  • Полярность транзистора NPN, PNP
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 140 mV, - 200 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz, 280 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия QSZ2